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本文报导了一种ＡｇＧａＳｅ２生长工艺，可有效地从熔体中排出非凝聚气相杂质，结合一项改进的坩埚镀碳技术，提高了生长优质ＡｇＧａＳｅ２单晶的成品率。文中还给出了晶体样品的红外观测，红外透过光谱和光电流谱，以及可调谐ＴＥＡ ＣＯ２激光倍频的实验结果。
AgGaSe2晶体的改进Bridgman法生长
【摘 要】
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本文报导了一种ＡｇＧａＳｅ２生长工艺，可有效地从熔体中排出非凝聚气相杂质，结合一项改进的坩埚镀碳技术，提高了生长优质ＡｇＧａＳｅ２单晶的成品率。文中还给出了晶体样品的红外观测，红外透过光谱和光电流
【机 构】
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中国科学院安徽光学精密机械研究所
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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1998年1期
【基金项目】
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国家863计划资助
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