对基于磁控溅射方法沉积的HfO2薄膜的紫外光学特性及薄膜结构的研究

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本文基于磁控溅射方法,功率从160W增加到240W,在石英衬底上沉积氧化铪薄膜(HfO2),并对沉积后的薄膜进行退火处理.利用X射线衍射谱、X射线光电子能谱、紫外-可见-近红外透射谱和椭圆偏振仪对HfO2薄膜进行研究,对比了退火前后HfO2薄膜的光学特性及薄膜结构的变化.实验结果显示,HfO2薄膜对波长大于200nm的入射光具有很低的吸收系数.优化退火温度和时间,可以将沉积后的HfO2薄膜从非晶态转化成多晶态.退火有助于结晶生成和内应力的增加,同时退火可以优化薄膜的化学计量比,提升薄膜的光学密度及折射率.
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