Plasma-enhanced Chemical Vapordeposition SiO2 Film after Ion Implantation Induces Quantum Well Inte

来源 :武汉理工大学学报：材料科学英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong527

【摘要】

：

SiO2 电影追随者离子培植被调查的通过提高血浆的化学蒸汽免职(PECVD ) 认识到的 QWI (很好使混合的量) 的一个方法。在 160 keV 磷(P) 离子培植以后的 PECVD 200 nm SiO2 电

【作者】

：

PENG Jucun WU Boying CHEN Jie

【机构】

：

DepartmentofPhysics,DepartmentofPhysics

【出处】

：

武汉理工大学学报：材料科学英文版

【发表日期】

：

2006年4期

【关键词】

：

等离子增强化学蒸汽沉积量子阱混合 P离子培植复合材料 quantum well intermixing P ion implantation PECV

【基金项目】

：

Funded by the National Natural Science Foundation of China（ No. 60276013 ）

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SiO2 电影追随者离子培植被调查的通过提高血浆的化学蒸汽免职(PECVD ) 认识到的 QWI (很好使混合的量) 的一个方法。在 160 keV 磷(P) 离子培植以后的 PECVD 200 nm SiO2 电影被执行导致基于 InP 的 multiple-quantum-well (MQW ) 激光结构的使混合，退火的过程在 N2 烟道下面在 780 ° C 被执行 30 秒，光致发光(PL ) 的蓝移动与植入的剂量有关的山峰：1 × 1 0 [11 ] 1 × 1 0

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