【摘 要】
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通过在半导体异质结上的上下表面沉积两条平行的铁磁条带可获得一个巨磁阻器件.为了更好地调控其性能,我们从理论上研究了在该器件中加入δ势后,该器件的透射系数、电导和磁
【机 构】
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桂林理工大学博文管理学院,桂林理工大学理学院
【基金项目】
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2016年度广西高校中青年教师基础能力提升项目（KY2016YB822）
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通过在半导体异质结上的上下表面沉积两条平行的铁磁条带可获得一个巨磁阻器件.为了更好地调控其性能,我们从理论上研究了在该器件中加入δ势后,该器件的透射系数、电导和磁阻比率的变化情况.研究发现,加入δ势后,该器件同样具有明显的巨磁阻效应,且其磁阻比率与加入δ势的权重和位置密切相关.因此,我们可以通过改变加入δ势的权重和位置来调控该巨磁阻器件,设计出磁阻比率可调的磁信息存储器.
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