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量子阱数变化对InGaN/GaN发光二极管瞬态响应的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bingqing1980

【摘 要】

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理论上研究了当InGaN发光二极管(LED)有源区的量子阱数变化时,LED的大信号瞬态响应特性与这种变化的关系.结果来自于LED等效电路模型的SPICE模拟,模型参数的确定通过拟合已测

【作 者】

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陈贵楚 范广涵 

【机 构】

：

华南师范大学光电子材料与技术研究所,肇庆学院物理系

【出 处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

InGaN LED 电路模型 上升时间 InGaN LED circuit model rise time 

【基金项目】

：

国家自然科学基金面上项目

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理论上研究了当InGaN发光二极管(LED)有源区的量子阱数变化时,LED的大信号瞬态响应特性与这种变化的关系.结果来自于LED等效电路模型的SPICE模拟,模型参数的确定通过拟合已测量的LED的实验数据及模拟结果来实现.结果表明,LED光脉冲的上升时间随量子阱数的增加而增加,由3个量子阱构成的有源区是LED的优化结构.

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