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化学机械抛光工艺，就是使用一种含磨料的混合物和抛光垫抛光集成电路表面。在浅沟槽隔离层抛光工艺中，要求较高的氧化物介电质去除速率和较低的表面缺陷。本文主要研究针对如何提高氧化硅和氮化硅抛光速率选择比的专利申请，分析了实现上述目标主要采用的路径和效果，并通过对比，为相关领域的研发主体在拓宽技术研究思路、制定专利申请策略、构建专利保护体系方面提供参考信息。