【摘 要】
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利用高真空条件,分舟蒸发制备ZnS:Ho~(3+)和ZnS:HoF_3绿色交流电致发光薄膜屏。讨论了ZnS:Ho~(3+)及ZnS:HoF_3薄膜的发光特性和光谱差异。确定其激发机理为热电子直接碰撞激
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所
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利用高真空条件,分舟蒸发制备ZnS:Ho~(3+)和ZnS:HoF_3绿色交流电致发光薄膜屏。讨论了ZnS:Ho~(3+)及ZnS:HoF_3薄膜的发光特性和光谱差异。确定其激发机理为热电子直接碰撞激发,以及660nm的发射在低浓度下来自于~5F_3→~5I_7的跃迁。并认为在两种材料中,由于热电子在外电场中的加速过程中受到不同散射中心的散射,改变了热电子的统计分布,从而直接引起两种材料发射光谱的明显差异。
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