Si掺杂放电等离子合成Ti_2AlC/Ti_3AlC_2材料及理论分析

来源 :中国有色金属学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：q87995210

【摘要】

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【作者】

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王苹梅炳初闵新民洪小林周卫兵严明

【机构】

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武汉理工大学理学院,武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室

【出处】

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中国有色金属学报

【发表日期】

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2007年4期

【关键词】

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硅掺杂放电等离子烧结 Ti2A1C/Ti3A1C2 理论分析 Si doping spark plasma sintering Ti2A1C/Ti3A1C

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目（50572080）

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以Ti粉、Al粉、活性炭和Si粉为原料，采用放电等离子工艺分别以摩尔比为2．0Ti/1.1Al／1．0C、2．OTi/l．0Al／0．1Si/1.0C、2．0Til1.0Al／0．2Si／1．0C、2．0Ti／0、9Al／0．2Si／1．0（2和2．0Ti／1．0Al／0．3Si／1．0C，在1200℃合成了Ti2AlC／Ti3AlC2块体材料。通过合成试样的X射线衍射谱，确定了放电等离子合成试样的物相组成，并用扫描电镜结合能谱仪观察了合成试样的显微结构和微区成分。结果表明：以2．0Ti／1．1Al／1．

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