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采用化学氧化法在浓硫酸与双氧水混合液中合成了H2SO4-GIC,研究了插层工艺参数如双氧水浓度、双氧水与浓硫酸的配比以及水洗液的pH值、烘干温度、膨化温度等对膨胀容积和残余硫含量的影响,同时也对整个插层机理进行了探讨,得到了制造低硫膨胀石墨的合理工艺参数.
用H2O2-H2SO4合成低硫GIC的研究
【摘 要】
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采用化学氧化法在浓硫酸与双氧水混合液中合成了H2SO4-GIC,研究了插层工艺参数如双氧水浓度、双氧水与浓硫酸的配比以及水洗液的pH值、烘干温度、膨化温度等对膨胀容积和残余
【机 构】
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清华大学,材料科学与工程系,北京,100084
【出 处】
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炭素技术
【发表日期】
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2000年2期
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