【摘 要】
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采用热丝化学气相沉积（HFCVD）系统,在单晶Si衬底上制备SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯的SiH4,CH4和N2。用原子力显微镜（AFM）、X线衍射谱（XRD）和X线光电子能谱（XPS）对样品进行表征与
【基金项目】
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陕西省自然科学基金资助项目（SJ08-ZT05）, 陕西省教育厅专项科研计划项目（08JK450）, 西北大学研究生创新基金资助项目（07YZZ29）
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采用热丝化学气相沉积（HFCVD）系统,在单晶Si衬底上制备SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯的SiH4,CH4和N2。用原子力显微镜（AFM）、X线衍射谱（XRD）和X线光电子能谱（XPS）对样品进行表征与分析。研究结果表明：SiCN薄膜表面由许多粒径不均匀、聚集紧密的SiCN颗粒组成;薄膜虽然已经晶化,但晶化并不充分,存在着微晶和非晶成分,通过Jade软件拟合计算出薄膜的结晶度为48.72%;SiCN薄膜不是SiC和Si3N4的简单混合,薄膜中Si,C和N这3种元素之间存在多种结合态,主要的化学结合状
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