【摘 要】
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利用电子束蒸发法在Si衬底上制备了不同厚度的SnO2缓冲层,并使用磁控溅射法制备出上层氧化钒薄膜,研究了 SnO2缓冲层厚度对于氧化钒薄膜微观结构、相组成以及相变性能的影响.结果表明,引入具有四方金红石结构的SnO2缓冲层后,上层氧化钒薄膜的结晶性变好,随着SnO2缓冲层厚度的增加,沉积的氧化钒薄膜中V4+含量逐渐提高,氧化钒薄膜的平均晶粒尺寸增大,成膜质量变好;相变锐度有所降低,热滞回线宽度减小.这些结果表示SnO2缓冲层的引入有利于在硅衬底上生长高质量且相变性能优越的VO2薄膜.
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院湖北省核固体物理重点实验室,武汉430072;武汉长弢新材料有限公司,武汉430000
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利用电子束蒸发法在Si衬底上制备了不同厚度的SnO2缓冲层,并使用磁控溅射法制备出上层氧化钒薄膜,研究了 SnO2缓冲层厚度对于氧化钒薄膜微观结构、相组成以及相变性能的影响.结果表明,引入具有四方金红石结构的SnO2缓冲层后,上层氧化钒薄膜的结晶性变好,随着SnO2缓冲层厚度的增加,沉积的氧化钒薄膜中V4+含量逐渐提高,氧化钒薄膜的平均晶粒尺寸增大,成膜质量变好;相变锐度有所降低,热滞回线宽度减小.这些结果表示SnO2缓冲层的引入有利于在硅衬底上生长高质量且相变性能优越的VO2薄膜.
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