【摘 要】
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采用传统固相法制备WO3掺杂Bi4Ti3O(12)(Bi4Ti(3-x)WxO(12),BITW,0.00≤x≤0.16)层状高温压电陶瓷,研究了W^6+掺杂对Bi4Ti3O(12)(BIT)陶瓷晶体微观结构与电性能的影响。研究
【基金项目】
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National Natural Science Foundation of China(61671224),Science Foundation of Jiangxi Provincial Education Department of China(GJJ160919)
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采用传统固相法制备WO3掺杂Bi4Ti3O(12)(Bi4Ti(3-x)WxO(12),BITW,0.00≤x≤0.16)层状高温压电陶瓷,研究了W^6+掺杂对Bi4Ti3O(12)(BIT)陶瓷晶体微观结构与电性能的影响。研究表明适量的W^6+掺杂能使BIT陶瓷的晶粒尺寸细化且均匀,有效地提高了陶瓷的致密度,且WO3的引入降低了BIT陶瓷的电导率和介电损耗,提高了其压电与机电性能。当WO3掺杂量x=0.14时,陶瓷具有如下优异性能:压电常数d(33)=16 p C/N,平面机电耦合系数kp=8.1%,机
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