【摘 要】
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针对SiC颗粒增强镁基复合材料界面的理论研究较少,大多研究仅停留在表征层面等问题.本文采用第一性原理方法,计算了四种不同SiC (0001)/Mg (0001)界面模型的电荷密度、布局分析和界面分离功.结果 表明:对于同种终端的SiC(0001)/Mg (0001)界面模型中,顶位型结构比心位型结构的稳定性好;不同终端的SiC (0001)/Mg (0001)的界面模型中,Si终端结构比C终端结构更加稳定,其中Si终端顶位型结构稳定性最好,其分离功为Wsep=3.297 J/m2,界面间距为d0=2.65
【机 构】
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北方民族大学材料科学与工程学院 银川750000
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针对SiC颗粒增强镁基复合材料界面的理论研究较少,大多研究仅停留在表征层面等问题.本文采用第一性原理方法,计算了四种不同SiC (0001)/Mg (0001)界面模型的电荷密度、布局分析和界面分离功.结果 表明:对于同种终端的SiC(0001)/Mg (0001)界面模型中,顶位型结构比心位型结构的稳定性好;不同终端的SiC (0001)/Mg (0001)的界面模型中,Si终端结构比C终端结构更加稳定,其中Si终端顶位型结构稳定性最好,其分离功为Wsep=3.297 J/m2,界面间距为d0=2.651nm.界面的键合方式主要为C-Mg共价键和Mg-Si离子键.
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