【摘 要】
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采用Recursion方法计算了不同掺氟量和不同替代位置下Y-Ba-Cu-O的电子结构,从掺氟Y-Ba-Cu-O各晶位的态密度(DOS),可进一步得到Fermi能EF、Fermi能级处的态密度N(EF)以及各晶
【机 构】
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湖南大学应用物理系,湖南大学应用物理系,清华大学物理系
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采用Recursion方法计算了不同掺氟量和不同替代位置下Y-Ba-Cu-O的电子结构,从掺氟Y-Ba-Cu-O各晶位的态密度(DOS),可进一步得到Fermi能EF、Fermi能级处的态密度N(EF)以及各晶位原子价等重要数据.各模型的计算结果表明,掺入氟后引起CuO2平面上Cu的原子价升高和O的价位变得更负,使Cu位空穴数目增加和O位空穴数目减少,且以后者的变化为主.掺氟改变了Y-Ba-Cu-O中CuO2平面上载流子的浓度,影响了电荷从CuO2平面向CuO链的转移,增加了Fermi面电子浓度,这可能是
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