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本文较为详细地分析了SOI MOSFET的失真行为。利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究。同时，在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOI MOSFET失真模型。该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制，使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合，本文所得到和结果可用于低失真的数模混合电路的设计，并对低失真电路的优化提供指导方向。