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现有的磁共振电阻抗成像（MREIT）方法只适用于主磁场平行水平面的磁共振系统，本文中提出了一种新的MREIT方法即斜位电流注入磁共振电阻抗成像，同时适用于主磁场垂直于水平面的磁共振系统．硬件系统以磁共振主控计算机为控制中心，将MRI与EIT有机结合于一体：（1）能够测量注入电流在成像体内部感应磁场的磁感应强度B（x，y，z）；（2）向成像体注入电流；（3）满足时序匹配要求；（4）测量边界电压．文章还展示了利用此装置所得的初步实验结果．