LiNbO3基Sn—As2S8单偏振单模波导电光开关的设计

来源 :光学仪器 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jiaojiao82

【摘要】

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掺锡非晶态硫化砷（Sn-As2S8）半导体具有独到的光阻断效应，与电光效应晶体结合有望构成新的功能器件。为此提出了一种以铌酸锂（LiNbO3）为基板、以Sn-As2S8半导体为导波的马赫-曾德

【作者】

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陈直陈抱雪隋国荣李倩

【机构】

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上海理工大学光电信息与计算机工程学院,同济大学电子与信息工程学院

【出处】

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光学仪器

【发表日期】

：

2009年3期

【关键词】

：

集成光学光开关掺锡硫化砷波导铌酸锂 integrated optics optical switches Sn-As2S8 waveguide Li

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掺锡非晶态硫化砷（Sn-As2S8）半导体具有独到的光阻断效应，与电光效应晶体结合有望构成新的功能器件。为此提出了一种以铌酸锂（LiNbO3）为基板、以Sn-As2S8半导体为导波的马赫-曾德干涉型电光开关的方案。阐述了器件设计的理论和方法，设计了LiNbO3基Sn-As2S8单偏振单模波导，对3dB定向耦合器做了取点扫描法优化设计，对电压与电极长度之间的关系进行了定量计算。器件经三维BPM仿真表明，在外加电压on和off的情况下，输出端口可分别实现（0．14±0．06）％和（99．95

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