【摘 要】
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采用射频磁控反应溅射技术，在不同的Ar：O2条件下制备Er2O3薄膜，然后把样品分别在600、700和800℃退火60min，研究分析了Ar：O2比例和退火温度对样品的结构和介电性能的影响。结果表
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采用射频磁控反应溅射技术，在不同的Ar：O2条件下制备Er2O3薄膜，然后把样品分别在600、700和800℃退火60min，研究分析了Ar：O2比例和退火温度对样品的结构和介电性能的影响。结果表明：600℃以上退火处理后，Er203薄膜从非晶态转变为多晶，使薄膜的介电常数和击穿场强明显增加，漏电流密度减小，但不同的退火温度对这些性能的影响不大，退火温度的提高会在Si和Er2O3薄膜的界面形成类SiO2过渡层。但Ar：O2比对薄膜的结晶性能和介电性能影响不大，但工作气体中较少的Ar会导致在Si和Er2O3
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