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本文从理论上对１．３μｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ窗口吸收区结构超辐射发光二极管进行了优化设计。并在考虑增益饱和和热效应的条件下，用耦合速率方程模拟计算了该结构超辐射发光二极管的功率输出特性。分析研究了窗口区长、泵浦区长、有源层厚度和输出腔面反射率对其输出特性的影响。研究结果表明，由于窗口吸收区的有效散射和吸收，很好地抑制了Ｆ－Ｐ受激振荡，可用于实现高性能超辐射发光二极管。