【摘 要】
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本文描述了一种采用离子注入工艺的Al栅N沟E/D型MAOSFET电路。采用等效厚度方法计算有效注入剂量。为了估计性能,制备了应用自对准技术的11级增强型驱动/耗尽型负载的环形振
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本文描述了一种采用离子注入工艺的Al栅N沟E/D型MAOSFET电路。采用等效厚度方法计算有效注入剂量。为了估计性能,制备了应用自对准技术的11级增强型驱动/耗尽型负载的环形振荡器。测得3.8μm有效沟道长度的反相级的平均传输延迟为1.3nS。
This paper describes an Al gate N-channel E / D type MAOSFET circuit using an ion implantation process. The equivalent thickness method is used to calculate the effective injection dose. For performance estimation, an 11-stage enhanced driver / depletion-mode ring oscillator with self-alignment technique was fabricated. The average propagation delay of the reversed phase of 3.8 m effective channel length was 1.3 nS.
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