【摘 要】
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提出了一种简便快速制作高聚物微流控芯片镍阳模的新方法.采用抛光镍片作为电铸基底,涂覆SU-8光胶层后,光刻得到SU-8微结构.以镍基片作为阳极,用16～30 A/dm2的电流密度电解刻
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提出了一种简便快速制作高聚物微流控芯片镍阳模的新方法.采用抛光镍片作为电铸基底,涂覆SU-8光胶层后,光刻得到SU-8微结构.以镍基片作为阳极,用16～30 A/dm2的电流密度电解刻蚀5 min,清除SU-8微结构间隙底部镍片表面的氧化物,并刻蚀得到10～20 μm深的凹坑,有效地提高了随后电沉积镍结构和基底镍片间结合力.利用SU-8微结构作为电铸模板,以镍基片作为阴极,电铸5 h后制得了微结构倾角为83.深宽比较大的镍阳模.实现了在普通化学实验室中长寿命镍阳模的制作.用热压法制得500多片聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物芯片,并成功用于DNA片段的分离.
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