高功率脉冲磁控溅射制备的TiN薄膜应力释放及其结合稳定性研究

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【摘要】

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目的探究高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)制备的氮化钛(TiN)薄膜在自然时效过程中,应力、薄膜/基体结合性能随时间的变化规律。方法采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术,通过调控基

【作者】

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唐鑫马东林陈畅子冷永祥黄楠

【机构】

：

西南交通大学材料科学与工程学院,荆楚理工学院

【出处】

：

表面技术

【发表日期】

：

2019年9期

【关键词】

：

高功率磁控溅射氮化钛薄膜薄膜应力膜基结合力自然时效

【基金项目】

：

国家自然科学基金(31570958,U1330113)~~

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目的探究高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)制备的氮化钛(TiN)薄膜在自然时效过程中,应力、薄膜/基体结合性能随时间的变化规律。方法采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术,通过调控基体偏压(-50、-150V),制备出具有不同残余压应力(3.18、7.46GPa)的TiN薄膜,并采用基片曲率法、X射线衍射法、划痕法和超显微硬度计评价了薄膜的应力、薄膜/基体结合性能、硬度随时间的变化规律。结果在沉积完成后1h内,-50V和-150V基体偏压下制备的TiN薄膜压应力分别在3.12~3.39GPa和7.40~7

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