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利用直流溅射法在(001)LaAIO<sub>3</sub>基片上生长了外延的La<sub>I--x</sub>Sr<sub>x</sub>MnO<sub>3</sub>(x=0.33)薄膜,薄膜为立方晶系的钙钛矿氧化物,晶格常数为a=39.2nm测量了薄膜在零场和外加场中的电阻率和磁阻随温度的变化。随着基片温度的升高。磁阻值在减少;电阻率峰位向高温区移动;溅射温度为650℃的样品磁阻效应最大,磁电阻效应约达3