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在有效质量近似下，采用变分法，研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN／AlxGa1-xN量子点系统束缚能的影响。结果表明：杂质带负电时，体系基态能量都比较大，不易形成稳定的束缚态。带电量为e的施主杂质位于量子点中心时，杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小，存在最大值；随着Al含量的增加，体系的束缚能增大。随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面，体系的束缚能先增大后减小。与单电子杂质态相比，内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著；当量子点高度L〈6nm时，杂质双电子量子点系统的束