【摘 要】
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应用Monte Carlo方法,建立了电子入射到半导体材料中的路径模型。基于此模型进行仿真,可以得到电子在半导体材料中的穿透深度和能量分布。对以同位素Ni—63为放射源的GaN基PN
【机 构】
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厦门大学物理与机电工程学院,厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院
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应用Monte Carlo方法,建立了电子入射到半导体材料中的路径模型。基于此模型进行仿真,可以得到电子在半导体材料中的穿透深度和能量分布。对以同位素Ni—63为放射源的GaN基PN结微型核电池进行Monte Carlo分析,得出入射电子在GaN中的穿透路径和能量分布,以确定入射电子在GaN中能量最集中的位置,将GaN基PN结的结深设置在该位置可以大幅提高收集效率,进而提高输出功率与能量转换效率。实验中,分别制备了结深为1000,450nm,放射源为Ni—63的GaN基微型核电池,测试结果验证了经优化结深
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