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用卤素－钨灯作辐射热源快速热氮化（RTN），在＜100＞和＜111＞晶向Si衬底上制备了Si-SiOxNyAl电容，并测量了由低场到F－N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy膜的电流传输特性。测量结果说明，两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别，而在高场范围对＜100＞晶向电容结构的F－N隧穿电流要比＜111＞晶向电容结构的F－N隧穿电流显著增加，并对实验结果作了初步讨论。