论文部分内容阅读
介绍中棉所127的选育过程及其特征特性、产量、纤维品质以及栽培要点.
优质棉花品种中棉所127选育及栽培技术
【摘 要】
：
介绍中棉所127的选育过程及其特征特性、产量、纤维品质以及栽培要点.
【机 构】
：
棉花生物学国家重点实验室/农业农村部棉花生物学与遗传育种重点实验室/中国农业科学院棉花研究所,河南 安阳455000;新疆中农优棉棉业有限公司,新疆 石河子 832000;四川省农业科学院经济作物育种
【出 处】
：
中国棉花
【发表日期】
：
2021年1期
其他文献
野火是最严重的自然灾害和公共危机事件之一.野火发生率高,影响大,损失大.因此,做好森林防火工作,是构建和谐,节约型社会的要求之一.建立生物防火带可以有效地防止野火并防止
GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、抗辐照等特点,GaN HEMT的出现为固态微波功率器件向更高的输出功率、更高的效率、更宽的工作带宽发展奠定了基础。尽
会议
以SiC单晶为例介绍了宽禁带半导体材料的独特物理性质、材料制备现状及其应用.SiC单晶的研发在光电子技术的应用推动下近期发展迅速，单晶直径已经达到了6英寸，为电子器件的
In this work,we studied the high-field electron transport properties in n-GaN charmels designed to have varied dimensions.The influence of the channel geome
会议
建立了高效液相色谱法同柱分离测定15％嘧酯·噻呋酰胺种子处理微囊悬浮-悬浮剂中有效成分的分析方法.使用Eclipse XDB Cl8(4.6 mm×150 mm,5μm)色谱柱和二极管阵列检测器(DAD
本文报道了1977年～1992年湖南省某系统赴坦桑尼亚援外归国人员379人的HIV抗体检测结果,检出HIV感染者4例,检出阳性率为1.06%。对4例HIV感染者进行了流行病学调查,均有输液史,
碳化硅(SIC)是第三代半导体——宽禁带半导体材料的典型代表,SiC材料具有宽带隙、高电子饱和漂移速率、高热导率、高临界击穿场强等优点,具有远大于Si材料的功率品质因子
会议
1993年第一只高亮度GaN基蓝光LED诞生,随即在全球掀起III族氮化物半导体研发热潮。经历20年的发展,III族氮化物半导体以其独特的光电性质,突破传统半导技术的局限,已经发
自1993年第一只GaN HEMT器件报道以来,近20年的研究已经充分展现了GaN电子器件的性能优势。GaN电子器件已经成为高性能与高功率微波器件的最佳选择之一。频率在1-20GHz范
会议