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采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅（SiNx）处理的单晶硅片上蒸镀灿膜并在不同温度下烧结形成背场。用扫描电子显微镜（SEM）对灿背电场进行表征，测量开路电压并探讨工艺条件对灿背电场微结构及开路电压的影响。实验结果表明，在真空度为5．0×10^-3Pa，阻蒸电流为250A的条件下，所镀膜层最厚、致密均匀、结合力好，且灿背场的开路电压随膜厚和烧结温度的增加而增加。