【摘 要】
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提出了一种带n型浮空埋层的超低比导通电阻的变k槽型LDMOS（TLDMOS）。新结构在漂移区内引入变介电常数（VK）的深槽结构和自驱动的U型p区,不仅可提高漂移区的掺杂浓度,还可优化体内
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51237001)
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提出了一种带n型浮空埋层的超低比导通电阻的变k槽型LDMOS（TLDMOS）。新结构在漂移区内引入变介电常数（VK）的深槽结构和自驱动的U型p区,不仅可提高漂移区的掺杂浓度,还可优化体内电场分布。衬底中引入的n埋层在器件阻断时进一步调制漂移区的电场分布。同时,额外p衬底/n埋层结的引入提高了LDMOS的纵向耐压。导通时,由于集成低压电源施加于U型p区,在其周围产生的电子积累层使器件在不增加栅电荷的情况下显著降低了比导通电阻(Ron,sp)。仿真结果表明,与传统TLDMOS相比,在相同元胞尺寸下,新结构的击穿电压提高了59.3%,Ron,sp降低了86.3%。
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