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二氧化钒（VO2）薄膜是一种新型功能材料，其在68℃附近可发生低温半导体相与高温金属相（S-M）之间的可逆相变。伴随晶体结构的转变，VO2薄膜的电学、光学等物理性能发生突变，其性能的突变使得在热、电开关以及光存储方面有着广泛的应用而受到国内外越来越多的学者进行研究。但是，氧化钒存在相态复杂，VO2稳定存在相态范围狭窄，制备高纯度的VO2薄膜是现阶段国内外学者的研究重点。就近几年国内外相关研究，阐述了VO2薄膜的基本相变特性，介绍了常规的VO：薄膜制备方法和新型的以原子层沉积（ALD）技术制备VO2薄膜的方