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通过实验对采用SOG材料的0．5pmCMOS后段平坦化工艺进行优化。采用3因素2水平的实验设计，表明IMD1—1厚度、SOG（旋涂玻璃）厚度和etchback（反腐蚀）厚度是关键因素。将β定义为平坦化程度因子，在完全平坦化的情况下β=1；如果没有平坦化效果，则β=0。进行了两次实验发现如何提高平坦化因子。实验得到IMD1-1显著影响金属间的介质间距，它和SOG厚度强烈影响平坦化因子。最后采用DOE（实验设计）的方法优化了0．5μmCMOS的平坦化工艺，平坦化因子3＆70％提高到85％，平坦化均匀性同时得到