Epitaxial Ge Growth on Si(111) Covered with Ultrathin SiO<sub>2</sub>Fil

来源 :表面工程材料与先进技术期刊(英文) | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenzhong1983
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The epitaxial growth of Ge on Si(111) covered with the 0.3 nm thick SiO2 film is studied by scanning tunneling microscopy. Nanoareas of bare Si in the SiO2 film are prepared by Ge deposition at a temperature in the range of 570℃-650℃ due to the formation
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