磁控溅射制备AlN薄膜的蒙特卡罗模拟

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应用蒙特卡罗程序TRIM对Ar+轰击AlN的微观过程进行了模拟。对不同能量以及不同角度下Ar+轰击AlN引起的溅射产额进行了系统的研究。随着入射离子能量的逐渐增加,AlN的溅射产额呈上升趋势。AlN的溅射产额随入射角增加而逐渐升高,在75°左右达到峰值,超过75°后,溅射产额急剧下降。实验发现垂直入射时和斜入射时,Al和N两元素的分溅射产额的比值变化规律有着明显的不同。
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