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本文报道了用喇曼光谱方法研究了注钕硅单晶中损伤层的温度特性。用硅520cm~(-1)特征峰的相对强度,来唯象地描述注入损伤层的无序度、折射率,消光系数等数参随退火温度的变化关系。发现550—600℃是消除损伤的最佳退火温区,并与方块电阻法所得结果进行了比较。
用喇曼光谱方法研究注钕硅单晶中损伤层的温度特性
【摘 要】
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本文报道了用喇曼光谱方法研究了注钕硅单晶中损伤层的温度特性。用硅520cm~(-1)特征峰的相对强度,来唯象地描述注入损伤层的无序度、折射率,消光系数等数参随退火温度的变化
【机 构】
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中国科学技术大学物理系,中国科学技术大学物理系
【出 处】
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光谱学与光谱分析
【发表日期】
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1989年1期
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