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现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管的特性。文中介绍了GFET的器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本电特性,提出了基于等效电路思想的小信号模型。模型的参数值来源于晶体管电流-电压和S参数的实测数据,采用测试结构法对模型参数进行提取与分析。并针对栅宽16μm,栅长150 nm的GFET,将参数初值代入ADS仿真工具中优化仿真,模型S参数与晶体管实测S参数在0.2～60 GHz频率范围下对比,表现出良好的一致性,充分验证了模型的可靠性。