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首次报导了光电导型混晶Si-xGex波导探测器。混晶Si1-xGex是在硅基SiON/SiO2/Si上用快速加热超低压化学气相淀积生长并经650℃退火30min得到的。探测器宽10μm,长2mm。探测器加20V偏置电压是,探测灵敏在0.022-0.010A/W之间。混晶Si1-xGex造成探测器的光谱响应曲线发生蓝移。当锗组分x=0.35、0.4、0.5、和0.6时,探测器峰值波长分别对应为875