【摘 要】
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采用Cu箔对常压烧结的SiC陶瓷与TC4钛合金进行了接触反应钎焊,并对接头的微观组织、形成机理和室温强度进行了研究。结果表明,利用Cu箔可以在低于其熔点的温度实现SiC与TC4钛
【机 构】
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哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室,哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室,哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室,哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室 150001r
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采用Cu箔对常压烧结的SiC陶瓷与TC4钛合金进行了接触反应钎焊,并对接头的微观组织、形成机理和室温强度进行了研究。结果表明,利用Cu箔可以在低于其熔点的温度实现SiC与TC4钛合金的连接。接头界面具有明显的层状结构,即由Ti-Cu-Si合金层、Ti-Cu合金层和富Ti的Ti-Cu-Al合金层组成。在1273K的条件下连接5min,接头室温剪切强度达到186MPa。
The Cu foil was used to contact and braze the atmospheric pressure sintered SiC ceramic and TC4 titanium alloy, and the microstructure, formation mechanism and room temperature strength of the joint were studied. The results show that the use of Cu foil can be achieved below the melting temperature of SiC and TC4 titanium alloy connection. The joint interface has a distinct layered structure consisting of a Ti-Cu-Si alloy layer, a Ti-Cu alloy layer and a Ti-rich Ti-Cu-Al alloy layer. Under the conditions of 1273K connection 5min, joint shear strength at room temperature to 186MPa.
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