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SiGe HBT晶体管具有优异的高频噪声特性,根据负阻振荡理论并且采用单电源供电方式设计了一款X波段振荡器。利用微波有源器件的小信号S参数模型进行仿真设计。测试表明,振荡器的中心频率为8.38GHz,输出功率为6dBm,偏离振荡频率100kHz和1MHz处的相位噪声分别为-112dBc/Hz和-126.7dBc/Hz,可以满足实际应用。整体电路结构简单,易于加工制作。