【摘 要】
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2.5D/3D芯片包含Interposer/硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)等复杂结构,通过多物理场仿真可以提前对2.5D/3D芯片的设计进行信号完整性(Signal Integrity,SI)、电源完整性(Power Integrity,PI)及可靠性优化.总结了目前2.5D/3D芯片仿真进展与挑战,介绍了基于芯片模型的Ansys芯片-封装-系统(CPS)多物理场协同仿真方法,阐述了如何模拟芯片在真实工况下达到优化芯片信号完整性、电源完整性以及优化散热方式、提高结构可靠性的设计目
【机 构】
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安似科技(上海)有限公司,上海20000
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2.5D/3D芯片包含Interposer/硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)等复杂结构,通过多物理场仿真可以提前对2.5D/3D芯片的设计进行信号完整性(Signal Integrity,SI)、电源完整性(Power Integrity,PI)及可靠性优化.总结了目前2.5D/3D芯片仿真进展与挑战,介绍了基于芯片模型的Ansys芯片-封装-系统(CPS)多物理场协同仿真方法,阐述了如何模拟芯片在真实工况下达到优化芯片信号完整性、电源完整性以及优化散热方式、提高结构可靠性的设计目标,并进行电热耦合、热应力耦合分析,指出了仿真技术的未来发展方向.
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