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在(110)单晶硅上获得高性能nFET
在(110)单晶硅上获得高性能nFET
来源 :集成电路应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kathy052
【摘 要】
:
根据Sematech研究员Rusty Harris所述,CMOS技术未来可能会从现今半导体工业的(100)取向硅晶圆转向使用(110)取向的晶圆。
【出 处】
:
集成电路应用
【发表日期】
:
2008年4期
【关键词】
:
单晶硅
性能
CMOS技术
半导体工业
硅晶圆
研究员
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根据Sematech研究员Rusty Harris所述,CMOS技术未来可能会从现今半导体工业的(100)取向硅晶圆转向使用(110)取向的晶圆。
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