【摘 要】
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采用在较低氧分压的保护气氛中用提拉法(Cz法)生长YVO4晶体, 采用自行设计的气压计, 精密调节炉内的氧、氮比例, 有效防止了晶体生长中的过度缺氧, 生长出Ф33 mm×31 mm
【机 构】
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长春光学精密机械学院材料工程系,中科院长春光学精密机械与物理研究所,长春光学精密机械学院材料工程系吉林长春130022,吉林长春130022,吉林长春130022
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采用在较低氧分压的保护气氛中用提拉法(Cz法)生长YVO4晶体, 采用自行设计的气压计, 精密调节炉内的氧、氮比例, 有效防止了晶体生长中的过度缺氧, 生长出Ф33 mm×31 mm(等径)YVO4晶体. 设计了生长YVO4晶体最佳工艺条件:转速5~10 r*min-1, 拉速:2~6 mm*h-1, 生长周期:24 h, 液面上8 mm温度梯度2.875 ℃*mm-1. 用偏光显微镜对YVO4晶体的裂纹、散射颗粒、包裹物、偏心生长等缺陷进行观察, 认为它们的成因主要是生长速率过快, 生长环境中
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