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采用传统固相法制备了（1-x）Bi4Ti3O12-xSrBi2Nb2O9（BIT—SBN，x=0，0．025，0．050，0．100，0．150，0．200）铋层状无铅压电陶瓷。系统研究了SrBi2Nb2O9掺杂对Bi4Ti3O12基陶瓷物相结构、微观结构以及jie电性能的影响。结果表明：所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构；当SBN掺量为0．100时，样品具有最佳的电性能：d33=21pC／N，相对密度P=98．1％，机电耦合系数kp=8．26％，εr=220，介电损耗tanδ=0．29％，剩余极化强度Pt