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利用微波电子回旋共振（MW-ECR）等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅（SiCN）薄膜。研究结果表明：硅靶溅射功率和氮气流量对薄膜化学结构、光学、力学等性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱（FT-IR）和X射线光电子能谱（XPS）表征显示,随着硅靶溅射功率由150W增加到 350 W,薄膜中C-Si-N键含量由14.3%增加到43.6%;氮气流量的增大（2～15 sccm）易于形成更多的sp2C=N键和sp1C≡N键.在改变硅靶溅射功率和氮气流量的条件下,薄膜光学带隙最大值分别达到2.1 eV和2.