【摘 要】
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介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构，基于此结构设计，实现了超低压运算放大器。采用TSMC0．25μm CMOS工艺的BSIM3V3
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助(60476046;90207022);国家部委基金资助(51408010304DZ0140)
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介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构，基于此结构设计，实现了超低压运算放大器。采用TSMC0．25μm CMOS工艺的BSIM3V3模型，对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明，在0．8V电源电压下，运算放大器的直流开环增益为106dB，相位裕度为62°，单位增益带宽为260kHz，功耗仅为3．9μW。
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