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利用高纯SiC烧结靶上粘贴金属Cr片的复合靶用双离子束溅射沉积方法，在Si和KBr单晶衬底上制备了掺杂SiC薄膜。用傅里叶变换红外光谱分析法（FTIR）和喇曼光谱仪对制得的薄膜样品进行了表征，用荧光分光光度计对样品的光致发光（PL）特性进行了研究。通过FTIR分析得到对应于Si—C键的峰位没有发生明显改变而峰强随着Cr掺杂量的增加而降低，喇曼光谱分析发现Cr掺杂导致Si和C团簇的形成，说明Cr的掺杂阻碍了Si—C键的结合。将不同Cr掺杂浓度的SiC薄膜经1000℃退火处理，发现位于413、451和469n