【摘 要】
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松下与瑞萨科技日前宣布，在两公司共同推进的32nm系统LSI用半导体工艺技术开发方面，确立了32nm晶体管技术等的量产应用目标。两公司计划将该技术应用于便携产品及数字家电用系
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松下与瑞萨科技日前宣布，在两公司共同推进的32nm系统LSI用半导体工艺技术开发方面，确立了32nm晶体管技术等的量产应用目标。两公司计划将该技术应用于便携产品及数字家电用系统LSI。此次，两公司开发的是具有高介电率（high—k）栅极绝缘膜及金属栅极堆栈结构的晶体管技术以及采用超低介电率（low—k）材料的布线技术。
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