【摘 要】
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Continuous wave operation of a semiconductor laser diode based on five stacks of InAs quantum dots (QDs) embedded within strained InGaAs quantum wells as an act
【机 构】
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State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics National Laboratory for Superlattices and Micros
【出 处】
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Chinese Optics Letters
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Continuous wave operation of a semiconductor laser diode based on five stacks of InAs quantum dots (QDs) embedded within strained InGaAs quantum wells as an active region is demonstrated. At room temperature, 355-mW output power at ground state of 1.33-1.35μm for a 20-μm ridge-waveguide laser without facet coating is achieved. By optimizing the molecular beam epitaxy (MBE) growth conditions, the QD density per layer is raised to 4×10~(10) cm-2. The laser keeps lasing at ground state until the temperature reaches 65℃.
Attenuating operation of a semiconductor laser diode based on five stacks of InAs quantum dots (QDs) embedded within strained InGaAs quantum dots as an active region. At room temperature, 355-mW output power at ground state of 1.33-1.35 μm for By optimizing the molecular beam epitaxy (MBE) growth conditions, the QD density per layer is raised to 4 × 10 ~ (10) cm -2. The laser keeps lasing at ground state until the temperature reaches 65 ℃.
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