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采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜, 在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征, 发现氮化时间小于60min时获得的InN薄膜的晶体结构为多晶且表面粗糙, 而氮化时间为60min及120min时获得的InN薄膜为单晶结构, 表面粗糙度有所下降。分析表明, 氮化时间对InN薄膜的晶体结构有很重要的影响。