【摘 要】
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研究了在1200℃下掺入少量三氟乙烯(TCE)时硅的热氧化动力学。这种条件下的抛物线(B)和直线(B/A)速率常数大于无TCE时标准氧化的数值。常数B/A增加到一最大值,然后随TCE浓度
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研究了在1200℃下掺入少量三氟乙烯(TCE)时硅的热氧化动力学。这种条件下的抛物线(B)和直线(B/A)速率常数大于无TCE时标准氧化的数值。常数B/A增加到一最大值,然后随TCE浓度的提高而下降,B却直线上升。研究了掺入TCE后对形成的SiO_2膜介质强度的影响。观察到的击穿统计数值是因掺入TCE后获得的重大改进。
The thermal oxidation kinetics of silicon at 1200 ℃ with a small amount of trifluoroethylene (TCE) was studied. The parabolic (B) and linear (B / A) rate constants under this condition are greater than the standard oxidation without TCE. The constant B / A increases to a maximum, then decreases as the concentration of TCE increases, while B rises straight. The effect of TCE on the dielectric strength of SiO 2 film was investigated. The observed breakdown statistics are a significant improvement over the incorporation of TCE.
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