论文部分内容阅读
研究了不同条件下的退火对高Al组分A1GaN P—I—N二极管性能的影响。研究结果表明，合适的退火条件既能使A1GaN与电极之间形成良好的欧姆接触，同时又能显著降低A1GaN P-I-N二极管的反向漏电流，反偏压5v时，暗电流密度由2．0×10^-1A／cm^2。降为5．7×10^-5A／cm^2，串阻由18．01kΩ减小到1．071kΩ，从而优化了A1GaNP-I-N二极管的Ⅰ-Ⅴ特性。分析认为这与退火改善接触电极特性，同时消除器件制备工艺中引入的损伤、降低缺陷态密度有关。